产品概览

产品型号
MSCSM120VR1M062CT6AG
制造商
Microchip Technology
产品类别
FET、MOSFET 阵列
产品描述
PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

文档与媒体

数据列表
MSCSM120VR1M062CT6AG

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
420A(Tc)
FET 功能 :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2.8V @ 15mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
6.2 毫欧 @ 200A,20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
15100pF @ 1000V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
1160nC @ 20V
供应商器件封装 :
-
功率 - 最大值 :
1.753kW(Tc)
安装类型 :
底座安装
封装/外壳 :
模块
工作温度 :
-40°C ~ 175°C(TJ)
技术 :
碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) :
1200V(1.2kV)
配置 :
2 N 沟道(相角)

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