产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SH8KA7GZETB
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 15A(Ta)
- FET 功能 :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.5V @ 1mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 9.3 毫欧 @ 15A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 3320pF @ 15V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 81nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- 8-SOP
- 功率 - 最大值 :
- 2W(Ta)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 配置 :
- 2 N-通道(双)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RT0603BRD0780R6L
RT0603BRD0786R6L
RT0603BRD07887RL
RT0603BRD078K45L
RT0603BRD0790R9L
RT0603BRD0793R1L
RT0603BRD0795R3L
RT0603BRD0797R6L
RT0603BRD07118RL
RT0603BRD07104RL
RT0603BRD07126RL
RT0603BRD0712K3L
RT0603BRD0712K6L
RT0603BRD07135KL
RT0603BRD0713K5L
RT0603BRD0713K8L
RT0603BRD0715K2L
RT0603BRD0716K7L
RT0603BRD071K42L
RT0603BRD071K76L