产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- HP8KA1TB
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 14A
- FET 功能 :
- 逻辑电平门
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.5V @ 10mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 5 毫欧 @ 14A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 2550pF @ 15V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 24nC @ 4.5V
- 供应商器件封装 :
- 8-HSOP
- 功率 - 最大值 :
- 3W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-PowerTDFN
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 配置 :
- 2 N-通道(双)