产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SSM6N68NU,LF
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 4A（Ta）
- FET 功能 :
- 逻辑电平栅极，1.8V 驱动
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- 1V @ 1mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- 84毫欧 @ 2A，4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 129pF @ 15V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- 1.8nC @ 4.5V
- 供应商器件封装 :
- 6-µDFN（2x2）
- 功率 - 最大值 :
- 2W（Ta）
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-WDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- 150°C
- 技术 :
- MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :
- 30V
- 配置 :
- 2 N-通道（双）
