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DMG6602SVTQ-7

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

3.4A，2.8A

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.3V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

60 毫欧 @ 3.1A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

400pF @ 15V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

13nC @ 10V

供应商器件封装 :

TSOT-26

功率 - 最大值 :

840mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

配置 :

N 和 P 沟道