产品概览

产品型号
G170P03S2
制造商
Goford Semiconductor
产品类别
FET、MOSFET 阵列
产品描述
P-30V, -9A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-2

文档与媒体

数据列表
G170P03S2

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
9A(Tc)
FET 功能 :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2.5V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
25 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
1786pF @ 4.5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
18nC @ 10V
供应商器件封装 :
8-SOP
功率 - 最大值 :
1.4W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(Tc)
技术 :
-
漏源电压(Vdss) :
30V
配置 :
2 个 P 沟道(双)

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