产品概览

产品型号
G60N04D52
制造商
Goford Semiconductor
产品类别
FET、MOSFET 阵列
产品描述
N40V, 35A,RD<9M@10V,VTH1.0V~2.5V

文档与媒体

数据列表
G60N04D52

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
35A(Tc)
FET 功能 :
标准
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2.5V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
9 毫欧 @ 20A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
1998pF @ 20V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
27nC @ 10V
供应商器件封装 :
8-DFN(4.9x5.75)
功率 - 最大值 :
20W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
8-PowerTDFN
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
-
漏源电压(Vdss) :
40V
配置 :
-

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