数据列表

EPC2108

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

1.7A，500mA

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

22pF @ 30V，7pF @ 30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V

供应商器件封装 :

9-BGA（1.35x1.35）

功率 - 最大值 :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

9-VFBGA

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss） :

60V，100V

配置 :

3 N 沟道（半桥 + 同步自举）