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SI6562CDQ-T1-BE3

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

5.7A（Ta），6.7A（Tc），5.1A（Ta），6.1A（Tc）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.5V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

22 毫欧 @ 5.7A，4.5V，30 毫欧 @ 5.1A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

850pF @ 10V，1200pF @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

23nC @ 10V，51nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-TSSOP

功率 - 最大值 :

1.1W（Ta），1.6W（Tc），1.2W（Ta），1.7W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

配置 :

N 和 P 沟道