产品概览

产品型号
SSM6N951L,EFF
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
产品类别
FET、MOSFET 阵列
产品描述
SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO

文档与媒体

数据列表
SSM6N951L,EFF

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
8A
FET 功能 :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
5.1 毫欧 @ 8A,4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
-
供应商器件封装 :
6-TCSPA(2.14x1.67)
功率 - 最大值 :
-
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
6-SMD,无引线
工作温度 :
-
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
12V
配置 :
2 N 沟道(双)共漏

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