产品概览

产品型号
SSM6N37FE,LM
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
产品类别
FET、MOSFET 阵列
产品描述
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D

文档与媒体

数据列表
SSM6N37FE,LM

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
250mA
FET 功能 :
逻辑电平门
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
12pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
-
供应商器件封装 :
ES6
功率 - 最大值 :
150mW
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
SOT-563,SOT-666
工作温度 :
150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
20V
配置 :
2 N-通道(双)

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