产品概览

产品型号
EPC2105
制造商
EPC
产品类别
FET、MOSFET 阵列
产品描述
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

文档与媒体

数据列表
EPC2105

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
9.5A,38A
FET 功能 :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2.5V @ 2.5mA,2.5V @ 10mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
14.5 毫欧 @ 20A,5V,3.4 毫欧 @ 20A,5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
300pF @ 40V,1100pF @ 40V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
2.5nC @ 5V,10nC @ 5V
供应商器件封装 :
模具
功率 - 最大值 :
-
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
模具
工作温度 :
-40°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) :
80V
配置 :
2 个 N 通道(半桥)

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