产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- PH3075L,115
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 30A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.3V @ 1mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 28 毫欧 @ 15A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 2070 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 19 nC @ 5 V
- 供应商器件封装 :
- LFPAK56,Power-SO8
- 功率耗散(最大值) :
- 75W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-100,SOT-669
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 75 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H1JTTD1420B25
RN73H1JTTD1021C25
RN73H1JTTD1010B25
RN73H1JTTD1003C25
RN73H1JTTD1022B50
RN73H1JTTD1452B25
RN73H1JTTD1063C50
RN73H1JTTD1201C50
RN73H1JTTD19R6B25
RN73H1JTTD1963B50
RN73H1JTTD2133B50
RN73H1JTTD1893C50
RN73H1JTTD1821C25
RN73H1JTTD3000C50
RN73H1JTTD16R7C50
RN73H1JTTD27R4B25
RN73H1JTTD1841C50
RN73H1JTTD2373B50
RN73H1JTTD16R7B50
RN73H1JTTD21R3B50