产品概览

产品型号
BS108,126
制造商
NXP Semiconductors
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3

文档与媒体

数据列表
BS108,126

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
300mA(Ta)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
1.8V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
5 欧姆 @ 100mA,2.8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
120 pF @ 25 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
-
供应商器件封装 :
TO-92-3
功率耗散(最大值) :
1W(Ta)
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
2.8V

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