产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IXTY1N120PTRL
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 1A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±30V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4.5V @ 50µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 20 欧姆 @ 500mA,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 445 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 17.6 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-252AA
- 功率耗散(最大值) :
- 63W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 1200 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73R1JTTD3970F50
RN73R1JTTD2613D100
RN73R1JTTD3701F50
RN73R1JTTD41R2F100
RN73R1JTTD2371D50
RN73R1JTTD1820D50
RN73R1JTTD1763F100
RN73R1JTTD1962D100
RN73R1JTTD1422D100
RN73R1JTTD4071F25
RN73R1JTTD5100D50
RN73R1JTTD21R0F25
RN73R1JTTD2982D100
RN73R1JTTD4023F100
RN73R1JTTD4420D100
RN73R1JTTD4023F50
RN73R1JTTD2523F25
RN73R1JTTD2462D50
RN73R1JTTD1961F50
RN73R1JTTD4703F25