产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IXFA34N65X2-TRL
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 34A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±30V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 5V @ 2.5mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 100 毫欧 @ 17A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 3230 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 56 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-263(D2Pak)
- 功率耗散(最大值) :
- 540W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 650 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GQM1875C2E120FB12D
GQM1875C2E180FB12D
GQM1875C2E220FB12D
GQM1875C2E270FB12D
GQM1875C2E330FB12D
GQM1875C2E390FB12D
GQM1875C2E470FB12D
GQM1875C2E910FB12D
GQM1875C2E820FB12D
GQM1875C2E510FB12D
GQM1875C2E101FB12D
GQM1875C2E680FB12D
GQM1875C2E560FB12D
GQM1875C2E620FB12D
GQM1875C2E750FB12D
GQM1875C2E6R2WB12D
GQM1875C2E200FB12D
GQM1875C2E5R0WB12D
GQM1875C2E6R8WB12D
12103C334KAT4A