产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- FDB86360_SN00307
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 110A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4.5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 1.8 毫欧 @ 80A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 14600 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 253 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- D²PAK(TO-263)
- 功率耗散(最大值) :
- 333W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 80 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C0603X102K4REC7411
C0603X102M4REC7411
CL03A103KQ3NNWC
06035A151JAT4A
06035A271JAT4A
06035C683KAT4A
06033C683KAT4A
06035C123KAT4A
06035C123KAT2A-62
GJM0335C1E160GB01D
GJM0335C1E110GB01D
C0603C390J5GACAUTO7411
GJM0335C1E270GB01D
GJM0335C1E240GB01D
GJM0335C1H110GB01D
GJM0335C1H130GB01D
GRT033R60G105ME13J
CC0805JPNPO0BN101
CQ0201BRNPO9BN2R6
CQ0201BRNPO9BN3R8