产品概览

产品型号
2SJ438,Q(J
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET P-CH TO220NIS

文档与媒体

数据列表
2SJ438,Q(J

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
5A(Tj)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
-
Vgs(最大值) :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
-
供应商器件封装 :
TO-220NIS
功率耗散(最大值) :
-
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-220-3 整包
工作温度 :
-
技术 :
-
漏源电压(Vdss) :
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
-

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