产品概览

产品型号
TPH3205WSB
制造商
Transphorm
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3

文档与媒体

数据列表
TPH3205WSB

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
36A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2.6V @ 700µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
60 毫欧 @ 22A,8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
2200 pF @ 400 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
42 nC @ 8 V
供应商器件封装 :
TO-247-3
功率耗散(最大值) :
125W(Tc)
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术 :
GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) :
650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
10V

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