产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IPD50R950CEATMA1
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 4.3A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 3.5V @ 100µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 950 毫欧 @ 1.2A,13V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 231 pF @ 100 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 10.5 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- PG-TO252-3
- 功率耗散(最大值) :
- 53W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 500 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 13V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C1812C123G3JACAUTO
1812JA250471KKTSYX
CKC18X472MCGAC7210
C1812C393G8JACAUTO
1808J0100153JCT
1808J0160153JCT
1808J0250153JCT
1808J0500153JCT
1808J0630153JCT
1808YA250560FGRU2X
1812YA250560GGTUYX
1825J0160224KXT
1825J0250224KXT
1825J0500224KXT
1825J0630224KXT
1825J1000224KXT
C1812C274G4JACAUTO
C1812C273G4JACAUTO
2215YA250272KJTSYX
C1812C184G3JACAUTO