产品概览

产品型号
2N6661JAN02
制造商
Vishay / Siliconix
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

文档与媒体

数据列表
2N6661JAN02

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
860mA(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
50 pF @ 25 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
-
供应商器件封装 :
TO-39
功率耗散(最大值) :
725mW(Ta),6.25W(Tc)
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
90 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
5V,10V

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