产品概览

产品型号
GA10JT12-247
制造商
GeneSiC Semiconductor
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
TRANS SJT 1200V 10A TO247AB

文档与媒体

数据列表
GA10JT12-247

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
10A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
-
Vgs(最大值) :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
140 毫欧 @ 10A
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
-
供应商器件封装 :
TO-247AB
功率耗散(最大值) :
170W(Tc)
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
175°C(TJ)
技术 :
SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss) :
1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
-

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