产品概览

产品型号
2N7639-GA
制造商
GeneSiC Semiconductor
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
TRANS SJT 650V 15A TO257

文档与媒体

数据列表
2N7639-GA

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
15A(Tc)(155°C)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
-
Vgs(最大值) :
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
105 毫欧 @ 15A
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
1534 pF @ 35 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
-
供应商器件封装 :
TO-257
功率耗散(最大值) :
172W(Tc)
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-257-3
工作温度 :
-55°C ~ 225°C(TJ)
技术 :
SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss) :
650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
-

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