产品概览

产品型号
IPW65R660CFDFKSA1
制造商
Infineon Technologies
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3

文档与媒体

数据列表
IPW65R660CFDFKSA1

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
6A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
4.5V @ 200µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
660 毫欧 @ 2.1A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
615 pF @ 100 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
22 nC @ 10 V
供应商器件封装 :
PG-TO247-3-1
功率耗散(最大值) :
62.5W(Tc)
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
10V

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