产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SI7888DP-T1-E3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 9.4A(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±12V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 12 毫欧 @ 12.4A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- -
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 10.5 nC @ 5 V
- 供应商器件封装 :
- PowerPAK® SO-8
- 功率耗散(最大值) :
- 1.8W(Ta)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- PowerPAK® SO-8
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1206J0500300GQT
1206J0500300JQT
1206J0500300KQT
1206J0500301FQT
1206J0500301GQT
1206J0500301JQT
1206J0500301KQT
1206J0500330FAR
1206J0500330FCR
1206J0500330FFR
1206J0500330FFT
1206J0500330FQT
1206J0500330GAR
1206J0500330GCR
1206J0500330GFR
1206J0500330GFT
1206J0500330GQT
1206J0500330JAR
1206J0500330JCR
1206J0500330JFR