数据列表

FDZ3N513ZT

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

1.1A（Ta）

FET 功能 :

肖特基二极管（体）

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

+5.5V，-0.3V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.5V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

462 毫欧 @ 300mA，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

85 pF @ 15 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

1 nC @ 4.5 V

供应商器件封装 :

4-WLCSP（0.96x0.96）

功率耗散（最大值） :

1W（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

4-UFBGA，WLCSP

工作温度 :

-55°C ~ 125°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

3.2V，4.5V