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- 数据列表
- SI4409DY-T1-GE3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 1.3A（Tc）
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- P 通道
- Vgs（最大值） :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- 4V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- 1.2 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 332 pF @ 50 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- 12 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- 8-SOIC
- 功率耗散（最大值） :
- 2.2W（Ta），4.6W（Tc）
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 技术 :
- MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :
- 150 V
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :
- 6V，10V
