产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IRF6645
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 5.7A(Ta),25A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4.9V @ 50µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 35 毫欧 @ 5.7A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 890 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 20 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- DIRECTFET™ SJ
- 功率耗散(最大值) :
- 3W(Ta),42W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- DirectFET™ 等容 SJ
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 100 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
Y11899K09000FR0L
RLP02N390R0GS00
RCMT0294201BES14
RCMT0275R00BES14
RCMT0280R60BES14
RCMT0280601BES14
RCMT02100R0BES14
Y0011150K000F0L
Y00141K00000A29L
Y578710K0000C9L
Y578710K0000F9L
Y578718R0000F0L
Y57871K86060B9L
Y57873K30000C9L
Y57873K72120B9L
Y5787930R310B9L
Y174950R7660V9L
Y174956R4710V9L
Y174974R5290V9L
RLP0266R50BS00