产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IRF6614
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 12.7A(Ta),55A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.25V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 8.3 毫欧 @ 12.7A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 2560 pF @ 20 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 29 nC @ 4.5 V
- 供应商器件封装 :
- DIRECTFET™ ST
- 功率耗散(最大值) :
- 2.1W(Ta),42W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- DirectFET™ 等容 ST
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 40 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RS73G2ATTD4122D
RS73G2ATTD6342D
RS73F2ATTD9312D
RS73G2ATTD2942F
RS73G2ATTD9310D
RS73G2ATTD5493F
RS73G2ATTD2873D
RS73G2ATTD48R7D
RS73F2ATTD8454F
RS73G2ATTD4641F
RS73F2ATTD3304F
RS73F2ATTD4420D
RS73G2ATTD2803D
RS73F2ATTD5111D
RS73F2ATTD9312F
RS73G2ATTD6982F
RS73F2ATTD2210F
RS73F2ATTD6804D
RS73G2ATTD6194F
RS73F2ATTD3652D