产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IXTT30N50L
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 30A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4.5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 200 毫欧 @ 15A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 10200 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 240 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-268AA
- 功率耗散(最大值) :
- 400W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 500 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
BY229B-200-E3/81
BY229B-200HE3/81
BY229B-400-E3/81
BY229B-400HE3/81
BY229B-600-E3/81
BY229B-600HE3/81
BY229B-800-E3/81
BY229B-800HE3/81
BY251GP-E3/54
BY251GPHE3/54
BY252GP-E3/54
BY252GPHE3/54
BY253GP-E3/54
BY253GPHE3/54
BY254GP-E3/54
BY254GPHE3/54
BY255GPHE3/54
BY297P-E3/54
BY298P-E3/54
BY299P-E3/54