产品概览

产品型号
STB25NM60ND
制造商
STMicroelectronics
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

文档与媒体

数据列表
STB25NM60ND

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
21A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±25V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
5V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
160 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
2400 pF @ 50 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
80 nC @ 10 V
供应商器件封装 :
D2PAK
功率耗散(最大值) :
160W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 :
150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
10V

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