产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NTGD4169FT1G
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 2.6A(Ta)
- FET 功能 :
- 肖特基二极管(隔离式)
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±12V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 1.5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 90 毫欧 @ 2.6A,4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 295 pF @ 15 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 5.5 nC @ 4.5 V
- 供应商器件封装 :
- 6-TSOP
- 功率耗散(最大值) :
- 900mW(Ta)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 工作温度 :
- -25°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 2.5V,4.5V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
885342009005
18122C104KAT2A
CGJ5L2X7R1A225K160AA
C1206C155K5RACAUTO
600S180GT250XT
22251C105MAT2A
18121C224MAT2A
12063A103GAT2A
C1206C221JDGACAUTO
885012210010
12103C105KAZ2A
C420C105M5U5TA7200
C1206C182KGRAC7800
CGA9L3X7R2E334M160KA
C4532X7R1C226M230KB
C1210C475K8PAC7800
C1206C271JGGACAUTO
FA20X7R2E224KNU06
1812HC392KAT2A
C0805C473J3TACAUTO