产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IXTT36P10
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 36A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- P 通道
- Vgs(最大值) :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- -
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- -
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- -
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- -
- 供应商器件封装 :
- TO-268AA
- 功率耗散(最大值) :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
- 工作温度 :
- -
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 100 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GRM2165C1HR30CD01D
GRM2165C1HR40CD01D
GRM2165C1HR50CD01D
GRM2165C1HR50CD01J
GRM2165C1HR60CD01D
GRM2165C1HR70CD01D
GRM2165C1HR75CD01D
GRM2165C1HR80CD01D
GRM2165C1HR90CD01D
GRM2166P1H100JZ01D
GRM2166P1H101JZ01D
GRM2166P1H111JZ01D
GRM2166P1H120JZ01D
GRM2166P1H121JZ01D
GRM2166P1H131JZ01D
GRM2166P1H150JZ01D
GRM2166P1H151JZ01D
GRM2166P1H161JZ01D
GRM2166P1H180JZ01D
GRM2166P1H220JZ01D