产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- FDB8832
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 34A(Ta),80A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 3V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 1.9 毫欧 @ 80A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 11400 pF @ 15 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 265 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- D²PAK(TO-263)
- 功率耗散(最大值) :
- 300W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
Y000789K8000T0L
Y000790K0000T0L
Y000791K0000T0L
Y000792K0000T0L
Y000794K0000T0L
Y000795K6000T0L
Y000795K8000T0L
Y000795K8250T0L
Y000799K5000T9L
Y0785100K000T0L
Y0785100K000T9L
Y0785109K710T0L
Y0785120K000T9L
Y0785125K000T0L
Y0785125K000T9L
Y0785150K000T0L
Y078582K0000T0L
Y078585K5700T0L
Y078597K2220T0L
Y0793100K000T0L