产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- APT40M35JVFR
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 93A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±30V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 5mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 35 毫欧 @ 46.5A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 20160 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 1065 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- ISOTOP®
- 功率耗散(最大值) :
- 700W(Tc)
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- SOT-227-4,miniBLOC
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 400 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H2BTTD1740B50
RN73H2BTTD4370B50
RN73H2BTTD1332B25
RN73H2BTTD2371C25
RN73H2BTTD1560B25
RN73H2BTTD1640C25
RN73H2BTTD2712C25
RN73H2BTTD1320C50
RN73H2BTTD29R1C25
RN73H2BTTD3281B25
RN73H2BTTD3521C25
RN73H2BTTD32R4C25
RN73H2BTTD4272B50
RN73H2BTTD4173C50
RN73H2BTTD19R3B25
RN73H2BTTD2082C25
RN73H2BTTD2612B25
RN73H2BTTD44R2C50
RN73H2BTTD1172B50
RN73H2BTTD2322B50