产品概览

产品型号
NTD80N02-1G
制造商
ON Semiconductor
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

文档与媒体

数据列表
NTD80N02-1G

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
80A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
3V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
5.8 毫欧 @ 80A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
2600 pF @ 20 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
42 nC @ 4.5 V
供应商器件封装 :
I-PAK
功率耗散(最大值) :
75W(Tc)
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
24 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
4.5V,10V

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