产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IRF7453PBF
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 2.2A(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±30V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 5.5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 230 毫欧 @ 1.3A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 930 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 38 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- 8-SO
- 功率耗散(最大值) :
- 2.5W(Ta)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 250 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
R7F100GMJ2DFB#AA0
EFM32LG360F128G-E-CSP81
Z8F081ASB020EG
Z8F0813SH005EG2156
PIC32MX220F032D-50I/ML
Z8F1232SH020EG
C8051T622-GM
C8051F369-GM
PIC18LF25J50-I/SO
Z8F0411HH020EG
Z8F082APH020EG2156
EFM8UB10F8G-C-QFN20R
Z8F081ASH020EG2156
Z8F081AHH020EG2156
Z8F081ASJ020EG2156
C8051T326-GM
ATMEGA164PA-CUR
Z8F0823SJ005EG2156
ST72F262G1M6TR
ST72F262G1M6