产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SPB80N03S2L-06
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 80A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2V @ 80µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 5.9 毫欧 @ 80A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 2530 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 68 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- PG-TO263-3-2
- 功率耗散(最大值) :
- 150W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H1ETTP4122B50
RN73H1ETTP1381C25
RN73H1ETTP3922B50
RN73H1ETTP1893C25
RN73H1ETTP3000B50
RN73H1ETTP2210B50
RN73H1ETTP2461B50
RN73H1ETTP1181B50
RN73H1ETTP4372C25
RN73H1ETTP2643B25
RN73H1ETTP1742C25
RN73H1ETTP2711C50
RN73H1ETTP1540C25
RN73H1ETTP3972B25
RN73H1ETTP1373C50
RN73H1ETTP1841B50
RN73H1ETTP2841C25
RN73H1ETTP1692B25
RN73H1ETTP1271C50
RN73H1ETTP3652C25