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IRLD110

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

1A（Ta）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

±10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

540 毫欧 @ 600mA，5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

250 pF @ 25 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

6.1 nC @ 5 V

供应商器件封装 :

4-HVMDIP

功率耗散（最大值） :

1.3W（Ta）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

4-DIP（0.300"，7.62mm）

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

100 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4V，5V