产品概览

产品型号
IRLD110
制造商
Vishay / Siliconix
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

文档与媒体

数据列表
IRLD110

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
1A(Ta)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
540 毫欧 @ 600mA,5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
250 pF @ 25 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
6.1 nC @ 5 V
供应商器件封装 :
4-HVMDIP
功率耗散(最大值) :
1.3W(Ta)
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
4-DIP(0.300",7.62mm)
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
4V,5V

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