数据列表

EPC2012

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

3A（Ta）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

+6V，-5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2.5V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

100 毫欧 @ 3A，5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

145 pF @ 100 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

1.8 nC @ 5 V

供应商器件封装 :

模具

功率耗散（最大值） :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

模具

工作温度 :

-40°C ~ 125°C（TJ）

技术 :

GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss） :

200 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

5V