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GA50JT06-258

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

100A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

-

Vgs（最大值） :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

25 毫欧 @ 50A

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

TO-258

功率耗散（最大值） :

769W（Tc）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-258-3，TO-258AA

工作温度 :

-55°C ~ 225°C（TJ）

技术 :

SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss） :

600 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

-