产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- APT84F50B2
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 84A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±30V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 5V @ 2.5mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 65 毫欧 @ 42A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 13500 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 340 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- T-MAX™ [B2]
- 功率耗散(最大值) :
- 1135W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-247-3 变式
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 500 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
AS4C512M16D3LA-10BINTR
AS4C512M16D3LB-12BINTR
MR2A16ACYS35R
IS46LQ32256A-062BLA2-TR
IS46LQ32256AL-062BLA2-TR
MR2A16ACMA35R
S70GL02GS11FHV023
S70GL02GS11FHV020
S70GL02GS12FHVV20
S70GL02GS12FHVV23
IS46QR81024A-083TBLA2
MT29F1T08EELEEJ4-QA:E TR
MT29F1T08EELEEJ4-QC:E TR
MT29F1T08EELEEJ4-QA:E
MT29F1T08EELEEJ4-QC:E
MT29F1T08EELEEJ4-QJ:E
MT29F1T08EELEEJ4-QJ:E TR
MT29F1T08EBLCEJ4-ES:C
MT29F1T08EBLCEJ4-ES:C TR
DS1230ABP-70+