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- 数据列表
- IPB180N04S4LH0ATMA1
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 180A（Tc）
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs（最大值） :
- +20V，-16V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :
- 2.2V @ 180µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :
- 1 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 24440 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :
- 310 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- PG-TO263-7-3
- 功率耗散（最大值） :
- 250W（Tc）
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C（TJ）
- 技术 :
- MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :
- 40 V
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :
- 4.5V，10V
