产品概览

产品型号
TK3A90E,S4X
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

文档与媒体

数据列表
TK3A90E,S4X

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
2.5A(Ta)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±30V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
4V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
4.6 欧姆 @ 1.3A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
650 pF @ 25 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
15 nC @ 10 V
供应商器件封装 :
TO-220SIS
功率耗散(最大值) :
35W(Tc)
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-220-3 整包
工作温度 :
150°C
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
900 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
10V

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