产品概览

产品型号
IPD30N03S2L10ATMA1
制造商
Infineon Technologies
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

文档与媒体

数据列表
IPD30N03S2L10ATMA1

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
30A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
2V @ 50µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
10 毫欧 @ 30A,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
1200 pF @ 25 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
42 nC @ 10 V
供应商器件封装 :
PG-TO252-3-11
功率耗散(最大值) :
100W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
30 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
4.5V,10V

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