产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- DMT10H009LH3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 84A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 9 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 2309 pF @ 50 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 20.2 nC @ 4.5 V
- 供应商器件封装 :
- TO-251
- 功率耗散(最大值) :
- 96W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-251-3 短截引线,IPak
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 100 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CL31C220JIFNFNE
2211JA250151MJTUYX
2211JA250181MJTUYX
2211JA250271MJTUYX
1808YA250470GGRUYS
2211JA250221MJTUYX
1808JA250221JKTUYS
MR061C154MAA
1812Y1K00680JCT
1812Y1K20680JCT
1812Y1K50680JCT
1812Y2000680JCT
1812Y2500680JCT
1812Y2K00680JCT
1812Y2K50680JCT
1812Y3K00680JCT
1812Y5000680JCT
1812Y6300680JCT
0805Y0160334MXT
C430C124KAR5TA