产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- DMPH4011SK3Q-13
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 79A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- P 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.5V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 11 毫欧 @ 9.8A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 4497 pF @ 20 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 104 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-252,(D-Pak)
- 功率耗散(最大值) :
- 3.7W(Ta),115W(Tc)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 40 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG3216N-3920-W-T1
RG3216N-4020-W-T1
RG3216N-4120-W-T1
RG3216N-4220-W-T1
RG3216N-4320-W-T1
RG3216N-4420-W-T1
RG3216N-4530-W-T1
RG3216N-4640-W-T1
RG3216N-4750-W-T1
RG3216N-4870-W-T1
RG3216N-4990-W-T1
RG3216N-5110-W-T1
RG3216N-5230-W-T1
RG3216N-5360-W-T1
RG3216N-5490-W-T1
RG3216N-5620-W-T1
RG3216N-5760-W-T1
RG3216N-5900-W-T1
RG3216N-6040-W-T1
RG3216N-6190-W-T1