产品概览

产品型号
SIA456DJ-T3-GE3
制造商
Vishay / Siliconix
产品类别
单 FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK

文档与媒体

数据列表
SIA456DJ-T3-GE3

产品详情

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
1.1A(Ta),2.6A(Tc)
FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 通道
Vgs(最大值) :
±16V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
1.4V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
1.38 欧姆 @ 750mA,4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
350 pF @ 100 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
14.5 nC @ 10 V
供应商器件封装 :
PowerPAK® SC-70-6
功率耗散(最大值) :
3.5W(Ta),19W(Tc)
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
PowerPAK® SC-70-6
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
1.8V,4.5V

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