数据列表

DMP26M1UPSW-13

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

83A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

P 通道

Vgs（最大值） :

±10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

6 毫欧 @ 15A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

5392 pF @ 10 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

164 nC @ 10 V

供应商器件封装 :

PowerDI5060-8（UX 类）

功率耗散（最大值） :

1.9W（Ta），2.6W（Tc）

安装类型 :

表面贴装，可润湿侧翼

封装/外壳 :

8-PowerTDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

2.5V，4.5V