产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- CMSP2011A6-HF
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 11A(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- P 通道
- Vgs(最大值) :
- ±12V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 1V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 24 毫欧 @ 7.2A,4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 1580 pF @ 6 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 35 nC @ 4.5 V
- 供应商器件封装 :
- DFNWB2x2-6L-J
- 功率耗散(最大值) :
- 750mW(Ta)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-WDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 20 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 2.5V,4.5V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H2ETTD2522F50
RN73H2ETTD93R1F25
RN73H2ETTD3362F25
RN73H2ETTD3003F10
RN73H2ETTD3920F25
RN73H2ETTD4222F50
RN73H2ETTD3160F50
RN73H2ETTD3923F50
RN73H2ETTD7961F25
RN73H2ETTD81R6F25
RN73H2ETTD2342D100
RN73H2ETTD2263F25
RN73H2ETTD7233F50
RN73H2ETTD8253D100
RN73H2ETTD5692D100
RN73H2ETTD2870F50
RN73H2ETTD9202F25
RN73H2ETTD6810D100
RN73H2ETTD3120F10
RN73H2ETTD3900F10